金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)

英飞凌功率MOSFET是专门设计用以处理大功率工作模式,以其独特的方式实现更高的效率,功率密集和成本效益等。功率MOSFET技术广泛用于多种开关应用,适用于电源,DC-DC转换器和低压电机控制器等,常用于电压低于200V的场合,也有一部分是针对高压应用场合。


罗彻斯特电子与英飞凌已合作十余年,是其授权的可持续供应产品的渠道。基于双方紧密的合作关系,罗彻斯特电子现拥有超过2,800万片MOSFET产品,包括未停产器件以及停产料(EOL)。

高压分立器件

产品型号 描述
IGA30N60H3XKSA1 High Speed Switching, 3rd Generation IGBT
IKD15N60RBTMA1

600V TRENCHSTOPTM RC-Series IGBT

SKB02N60ATMA1

Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode

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国际整流器 (IR)

2015年1月,英飞凌 (Infineon)成功收购了国际整流器公司(IR),IR以生产模拟和混合信号集成电路,先进电路器件,集成功率系统以及用于高性能运算设备为主。

IR产品被持续广泛用于多种应用,包括照明,汽车,卫星系统,宇航和防御系统,以及电源系统中的关键电子元器件,例如微型计算机,服务器,网络和电信设备。

IR在低耗高效IGBT,智能功率模块,功率MOSFET和数字电源管理芯片领域的专业技术与英飞凌的功率器件和模块产品实现完美结合,拓宽的产品组合将为优化能效,移动性和安全性方面提供更广泛的产品和解决方案。

罗彻斯特电子拥有超过1000万片IR现货及停产元器件库存,在年底将有更多库存入仓。

IR产品系列库存:

集成电源和分立

产品型号 描述
IRAM336-025SB Hybrid IC for Appliance Motor Drive Applications
IRS21171SPBF

Single Channel Driver

IRS2124STRPBF High Side Driver IC
IRS2607DSTRPBF

High and Low Side Drivers

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工业电源

产品型号 描述
BSM20GD60DLC Trans IGBT Module N-CH 600V 32A
BSM400GA170DLS

Trans IGBT Module N-CH 1700V 800A

FP100R06KE3B16 Fast Trench/Field Stop IGBT3 and Emitter Controlled3 Diode
FZ800R12KL4CNOSA1

1200V IGBT Module, LL IGBT2 Soft Emitter Controlled Diode

FZ1200R12KE3NOSA1 1200V *IHM 130mm single switch IGBT Module with IGBT3
FZ1800R12HP4B9NPSA1

1200V IHMB 190mm single switch IGBT Module, Trench-IGBT4

FZ2400R12HP4NPSA1 1200V IHMB 130mm single switch IGBT Module, Trench-IGBT4
FZ3600R17KE3

1700V IHM 190mm single switch IGBT Module with IGBT3

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关于罗彻斯特电子

可持续供应海量元器件现货及停产解决方案

罗彻斯特电子获得70多家元器件制造商的官方授权。拥有超过150亿片现货库存,且覆盖20多万种产品型号;存储超过120亿颗晶圆/裸片,已成功复产2万多种停产元器件类型,并可提供70,000种停产解决方案。

更多信息请访问官网:www.rocelec.cn

在线分销商ICGOO

ICGOO(www.icgoo.net) 作为罗彻斯特电子在中国市场的首家在线分销商,自2008年底开始,双方就建立了合作关系。一直以来,ICGOO团队与罗彻斯特电子实现紧密合作,共同开拓中国市场,为更多用户提供优质的产品和服务。